拓扑（分层）掺杂于三维费尔尔系统：掺杂 BaBiO3 的预测结构
强关联电子
2009-11-07 v2 材料科学
摘要
在掺杂浓度低于 x=0.4 时，Ba_(1-x)K_xBiO_3 为非金属。当 x=0 时，纯 BaBiO3 为费尔尔绝缘体。极低浓度的掺杂电子会在费尔尔序参量中形成双极子点缺陷。本文发现，rice-sneddon 版本的费尔尔理论预测，较高浓度的掺杂电子应在费尔尔序参量中形成堆积错位（称为切片的二维拓扑缺陷）。然而，长程库仑相互作用——在 rice-sneddon 模型中未被包含——会使切片在低浓度下不稳定，优先形成点双极子，仅在约 30% 掺杂浓度附近留下切片状态边缘稳定的窗口。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0203486,
title = {Topological (Sliced) Doping of a 3D Peierls System: Predicted Structure of Doped BaBiO3},
author = {Ilka B. Bischofs and Philip B. Allen and Vladimir N. Kostur and Rahul Bhargava},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0203486},
year = {2009}
}
备注
6 pages with 5 embedded postscript figures