掺杂 $\rm BaBiO_3$ 中的极化子空穴捕获
材料科学
2015-05-13 v2
摘要
本项 {\em 第一性原理}研究表明，在 BaBiO 中，Bi 位可以从价带捕获两个空穴以形成 Bi 阳离子。这种捕获伴随着巨大的局部晶格畸变，因此由电子空穴和局部晶格声子场构成的复合粒子形成了一个极化子。我们的研究清楚地表明，如果局部晶格弛豫足够大以屏蔽局域空穴，即使是 元素也能在晶格位捕获载流子。推导出的模型描述了所有相关的实验结果，并解决了为什么空穴掺杂的 BaBiO 在适度空穴掺杂下仍保持半导体特性的问题。
引用
@article{arxiv.0812.1238,
title = {Polaronic hole-trapping in doped $\rm BaBiO_3$},
author = {C. Franchini and G. Kresse and R. Podloucky},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.1238},
year = {2015}
}
备注
Physical Review Letters, accepted (2009)