[110] SnTe 纳米线的拓扑性质

SnTe 材料已知可作为实现各种强拓扑和对称保护拓扑相（在一、二、三维空间中）的平台。我们研究了在 $[110]$ SnTe 纳米线中受 various 组合 Zeeman 场、s 波超导性、反演对称性破坏场以及纳米线厚度影响的对称保护拓扑态。在正常态下，我们发现一种由二级螺旋轴对称性保护的 Weyl 半金属相，以及一种由镜面对称性保护的具有 $\mathbb{Z}$ 不变性的拓扑绝缘体相。在超导性存在时，我们发现一种由反演对称性保护的无能隙相，其通过引入反演对称性破坏场后变为全能隙且具有拓扑非平凡性。因此，我们发现拓扑保护的局域 Majorana 零模会出现在纳米线的两端。我们发现，该 Majorana 相在 $[110]$ SnTe 纳米线中实现比在 $[001]$ 纳米线中更容易。