应变Lieb-Kagome晶格中的拓扑相变
介观与纳米尺度物理
2025-06-17 v1
摘要
Lieb和Kagome晶格在考虑自旋轨道耦合时表现出具有Z₂拓扑分类的二维拓扑绝缘体行为。在本研究中，我们使用一个具有形态控制参数θ的一般紧束缚哈密顿量来描述Lieb（θ=π/2）、Kagome（θ=2π/3）和过渡晶格（π/2<θ<2π/3），同时考虑内禀自旋轨道（ISO）耦合。我们系统地研究了沿不同晶体学方向施加的剪切和单轴应变对这些结构电子能谱的影响。我们的发现表明，这些形变可以通过改变与Lieb和Kagome之间相互转换过程相关的结构晶格角度、应变幅度和ISO耦合的大小来诱导拓扑相变。这些相变通过贝里曲率的演化和能隙关闭时陈数的变化得到确认。此外，通过分析跃迁和ISO耦合参数故意保持不变假设的应变场景，我们的结果表明，应变诱导的相变源于跃迁和ISO耦合参数的变化。
引用
@article{arxiv.2506.13031,
title = {Topological phase transitions in strained Lieb-Kagome lattices},
author = {W. P. Lima and T. F. O. Lara and J. P. G. Nascimento and J. Milton Pereira and D. R. da Costa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.13031},
year = {2025}
}
备注
17 pages, 10 figures