多层Lieb、过渡和Kagome晶格的电子性质

基于单层Lieb晶格与Kagome晶格之间共享的可互换特性（允许将过渡晶格的阶段映射到这两个极限之间$\\pi/2 \\leq\\theta \\leq 2\\pi/3$），本文扩展了最近提出的单控制（$\\theta$）参数紧密绑定模型，以考虑两种最常见的堆叠方式：AA和AB（伯恩尔）。我们系统研究了通过调整层间隧算力和距离（考虑或不考虑最近层间邻居的影响），对于不同堆叠层数的情况下的两种晶格之间的能带变换，并在施加垂直电场的条件下进行分析。能量变化从层依赖的拟旋分量及总概率密度分布的角度进行理解。本文提供了一种恰当且直观的理论方法，用于连续研究在各种外部作用下多层Lieb-Kagome系统电子性质的演化。