莫比乌斯分子器件中的拓扑派尔斯相变
介观与纳米尺度物理
2009-11-20 v3
摘要
我们研究了单价莫比乌斯梯子中派尔斯相变的拓扑性质。沿着梯子的横向和纵向，存在大量对应于各种二聚化模式的派尔斯相。由于一种特殊的调制，即沿纵向的交错调制，处于绝缘相的梯子系统表现为一个“拓扑绝缘体”，它拥有作为存在于能隙中的无能隙边缘态的带电孤子。这种孤子态保证了沿梯子系统纵向的无色散传播。本质上，这些非平庸的边缘态源于派尔斯相边界，而派尔斯相边界又源于非平庸的Z^2拓扑构型。
引用
@article{arxiv.0906.2593,
title = {Topological Peierls Transitions in M\"{o}bius Molecular Devices},
author = {Z. R. Gong and Z. Song and C. P. Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.2593},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 6 figures