超越 Weyl 半导体体的拓扑光学准自旋注入
介观与纳米尺度物理
2025-01-22 v4 材料科学
强关联电子
摘要
光致效应被视为揭示拓扑材料中精彩物理现象的重要工具，而这些现象通常无法通过常规探针获得。本文研究了其中一种有趣的效应，即光学准自旋注入(OPI)，其超越普通 Weyl 半导体(WSMs)，具体指多 Weyl 半导体(mWSMs)和高阶 Weyl 半导体。值得注意的是，我们展示了 mWSMs 中的 OPI独立于光照频率，并与量化拓扑电荷成线性比例，这源于其色散性质本征的线性带结构。有趣的是，虽然响应不依赖于I型节点的倾斜，但在II型 mWSMs中则随着倾斜程度的增加而减小。我们还发现，频率独立性要么通过在晶格正规化下超过一定截止频率，要么通过转向更高阶 Weyl 相位，都会被破坏。超越普通 WSM 的 OPI的预测特征可被实验探索，从而实现对不同非平凡 Weyl 拓扑的有效访问与区分。
引用
@article{arxiv.2403.09235,
title = {Topological Optical Pseudospin Injection Beyond Weyl Semimetals},
author = {Suvendu Ghosh and Chuanchang Zeng and A. Taraphder and Jian-Xin Zhu and Snehasish Nandy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.09235},
year = {2025}
}
备注
7 pages, 3 figures, Comments are most welcome