等距锂硅酸酯波导阵列中拓扑隧穿脉冲

等距1D锂硅酸酯薄膜波导阵列可因两种导模族之间特定的介束缝与内束缝相互作用而表现出非平凡的拓扑性。本文分析了由于$\chi_2$非线性相互作用产生的两种色度空间脉冲。 fundamental 频率场中拓扑非平凡模式与第二高频率场中拓扑平凡模式之间的相互作用导致了脉冲的形成。我们讨论了局限于阵列内部（bulk脉冲）和局限于有限尺寸阵列边缘（edge脉冲）的脉冲。后者源于fundamental频率中的拓扑边缘模式与第二高频率中的bulk模式之间的非线性相互作用。我们发现对于每种类型的脉冲，bulk或edge，通常存在两种具有不同内部结构和传播常数范围的解。所有bulk脉冲只能在第二高频率场中的耦合强度和fundamental与第二高频率之间相位匹配达到一定阈值时才能被激发。edge脉冲的功率阈值通常要低得多，通过调节相位匹配可将其降低到零。