利用横向剪切显微镜对双层二维材料进行依赖顶层的晶体学取向成像
材料科学
2021-05-21 v1
摘要
二维(2D)材料的纳米接触性质密切依赖于其独特的纳米力学系统，如原子层数与支撑衬底。本文报道利用横向剪切显微镜(TSM)对二维材料进行依赖顶层的晶体学取向成像的直接观测。我们详细研究了三种典型纳米力学系统：非晶 SiO2/Si 上的 MoS2、非晶 SiO2/Si 上的石墨烯，以及结晶 Al2O3 上的 MoS2。该实验观测揭示起皱行为主要发生在二维材料的顶层，这归因于其与 AFM 针尖的直接接触粘附。此外，MoS2/SiO2/Si 与 MoS2/Al2O3 的晶体学取向成像结果表明，下层结晶衬底几乎不对二维材料的起皱效应产生贡献。我们的工作直接揭示了二维材料依赖顶层的起皱性质，并展示了 TSM 在双层二维体系中的普适应用。
引用
@article{arxiv.2105.09887,
title = {Toplayer-Dependent Crystallographic Orientation Imaging in the Bilayer Two-Dimensional Materials with Transverse Shear Microscopy},
author = {Sabir Hussain and Rui Xu and Kunqi Xu and Le Lei and Shuya Xing and Jianfeng Guo and Haoyu Dong and Adeel Liaqat and Rashid Iqbal and Muhammad Ahsan Iqbal and Shangzhi Gu and Feiyue Cao and Yan Jun Li and Yasuhiro Sugawara and Fei Pang and Wei Ji and Liming Xie and Shanshan Chen and Zhihai Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.09887},
year = {2021}
}