基于TiO2的纳米结构忆阻器用于RRAM和神经形态应用：一种模拟方法
材料科学
2016-01-26 v1 新兴技术
摘要
我们报告了使用分段线性和非线性窗口函数进行RRAM和神经形态应用的纳米结构忆阻器器件模拟。利用忆阻器的线性漂移模型，以线性和非线性窗口函数作为数学和脚本基础进行模拟。结果证明，分段线性窗口函数能恰当地模拟与RRAM应用相关的忆阻器特性。然而，非线性窗口函数仅在控制参数的较低量级才能在模拟中展现非线性现象。这促使我们提出一种新的非线性窗口函数来模拟忆阻器的模拟模型。有趣的是，所提出的窗口函数可扩展至，并在控制参数的较高量级展现非线性行为。此外，所提非线性窗口函数的模拟结果令人鼓舞，揭示了从LRS到HRS及反之亦然的平滑非线性变化，因此可用于神经形态应用。
引用
@article{arxiv.1601.06503,
title = {TiO2 based Nanostructured Memristor for RRAM and Neuromorphic Applications: A Simulation Approach},
author = {T. D. Dongale and P. J. Patil and N. K. Desai and P. P. Chougule and S. M. Kumbhar and P. P. Waifalkar and P. B. Patil and R. S. Vhatkar and M. V. Takale and P. K. Gaikwad and R. K. Kamat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.06503},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 8 figures