原子级薄 $\mathrm{MoS_2}$ 纳米机械谐振器的时域响应
介观与纳米尺度物理
2014-08-08 v2
摘要
我们通过检测谐振器振铃衰减，测量了单层及少层二硫化钼 () 纳米机械谐振器的能量弛豫率。近期对这些器件的实验表明，在室温下进行频谱测量时，其品质因数 (Q) 极低。低频谱 Q 因子的起源尚是一个开放性问题，有人提出除了耗散过程外，频率波动也对共振线宽有显著贡献。然而，迄今为止进行的频谱测量无法区分这两个过程。在此，我们使用时域测量来量化耗散。我们将振铃衰减测量获得的 Q 因子与从热噪声谱和驱动器件频率响应获得的 Q 因子进行了比较。在少层和单层 谐振器中，两者高度一致，这表明室温下 薄膜的频谱线宽受限于耗散，而过度的频谱展宽作用可忽略不计。
引用
@article{arxiv.1405.5666,
title = {Time-domain response of atomically thin $\mathrm{MoS_2}$ nanomechanical resonators},
author = {R. van Leeuwen and A. Castellanos-Gomez and G. A. Steele and H. S. J. van der Zant and W. J. Venstra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.5666},
year = {2014}
}
备注
13 pages, 5 figures