块体铋中谷依赖态密度的热力学证据
强关联电子
2014-05-01 v1
摘要
铋中的类电子载流子由狄拉克哈密顿量描述，其能带质量沿一个晶轴方向变为裸电子质量的千分之一。三个各向异性谷的存在为电子提供了额外的自由度，这是近期关注的焦点。在此，我们通过角分辨磁致伸缩绘制朗道能谱，并量化每个谷中的载流子数量：虽然电子谷保持相同的能谱，但它们在费米能级处的态密度存在显著差异。因此，即使在不存在内部应变的情况下，电子流体在低温和强磁场下也不保持晶格的旋转对称性。这种效应类似于局域电子态中的库仑伪能隙，仅影响费米能级附近的电子。它代表了块体铋中非相互作用电子图像最显著的偏离。
引用
@article{arxiv.1404.7800,
title = {Thermodynamic evidence for valley-dependent density of states in bulk bismuth},
author = {R. Kuechler and L. Steinke and R. Daou and M. Brando and K. Behnia and F. Steglich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.7800},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 3 Figures