同位素富集 28Si 材料热导率的再研究
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
通过高精度实验独立地重新测定了同位素富集 28Si（富集程度良好，超过 99.9%）的热导率。实验在总计 4 个不同形状和同位素富集程度的样品上进行，温度范围为 5 到 300 K，特别关注室温附近范围。来自不同实验室的结果彼此间良好地一致。结果表明，室温时同位素富集 28Si 的热导率比自然组合比的硅高出 10–17%。这一发现与 Ruf 等人早期的报告相矛盾。在约 26 K 时，28Si 的热导率达到最大值。该最大值取决于样品的形状和同位素富集程度，对于 99.982% 富集 28Si 的样品，其热导率是自然硅的约 8 倍。自然同位素组成的硅的热导率始终比文献中推荐值低约 3%。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407060,
title = {Thermal Conductivity of Isotopically Enriched 28Si Revisited},
author = {R. K. Kremer and K. Graf and M. Cardona G. G. Devyatykh and A. V. Gusev and A. M. Gibin A. V. Inyushkin and A. N. Taldenkov H. -J. Pohl},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407060},
year = {2009}
}