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$^{27,28}$Si中的能级密度和$\gamma$射线强度

核实验 2008-11-26 v3

摘要

一种同时提取能级密度和γ\gamma射线透射系数的方法首次在轻核上得到测试,利用28^{28}Si(3^3He,αγ)27\alpha\gamma)^{27}Si和28^{28}Si(3^3He,3^3He'γ)28\gamma)^{28}Si反应。提取的27^{27}Si和28^{28}Si能级密度与通过计数各自核中已知能级获得的能级密度一致。提取的28^{28}Si中γ\gamma射线强度与该核已知的γ\gamma衰变性质吻合良好。发现典型核温度在约7 MeV激发能处为T2.4T\sim 2.4 MeV。质量数为AAA±1A\pm 1的核之间的熵间隙测得为δS1.0kB\delta S\sim 1.0 k_B,这表明单粒子轨道之间的能量间距与典型核温度相当。

关键词

引用

@article{arxiv.nucl-ex/0203013,
  title  = {Level density and $\gamma$-ray strength in $^{27,28}$Si},
  author = {M. Guttormsen and E. Melby and J. Rekstad and A. Schiller and S. Siem and T. Loennroth and A. Voinov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:nucl-ex/0203013},
  year   = {2008}
}

备注

Totally 17 pages, 11 figures