$^{27,28}$Si中的能级密度和$\gamma$射线强度
核实验
2008-11-26 v3
摘要
一种同时提取能级密度和射线透射系数的方法首次在轻核上得到测试,利用Si(He,Si和Si(He,He'Si反应。提取的Si和Si能级密度与通过计数各自核中已知能级获得的能级密度一致。提取的Si中射线强度与该核已知的衰变性质吻合良好。发现典型核温度在约7 MeV激发能处为 MeV。质量数为和的核之间的熵间隙测得为,这表明单粒子轨道之间的能量间距与典型核温度相当。
引用
@article{arxiv.nucl-ex/0203013,
title = {Level density and $\gamma$-ray strength in $^{27,28}$Si},
author = {M. Guttormsen and E. Melby and J. Rekstad and A. Schiller and S. Siem and T. Loennroth and A. Voinov},
journal= {arXiv preprint arXiv:nucl-ex/0203013},
year = {2008}
}
备注
Totally 17 pages, 11 figures