硅中单 donor 和双 donor 理论
介观与纳米尺度物理
2017-02-17 v1
摘要
我们在此提供了一个建模含一个或两个 V 族施主 (D) 的硅纳米器件的路线图。我们讨论了包含一个或两个电子的系统，即 D^0、D^-、D_2^+ 和 D_2^0 中心。文中讨论了不同近似层次的影响。最精确的情形（我们为此提供了定量结果）是在多谷有效质量理论框架内，包含了中心胞修正以及对电子 - 电子关联的组态相互作用处理。我们还推导了具有洞察力但精度较低的解析近似，并讨论了其有效性和局限性——特别是对于施主对，我们讨论了单轨道 LCAO 方法、Huckel 近似和 Hubbard 模型。最后，我们讨论了这些结果与近期关于少掺杂器件实验之间的联系。
引用
@article{arxiv.1407.8224,
title = {Theory of one and two donors in Silicon},
author = {A. L. Saraiva and A. Baena and M. J. Calderón and Belita Koiller},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.8224},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 6 figures