硅自旋量子比特的哈伯德模型描述：硅双量子点中的电荷稳定性图和隧穿耦合
介观与纳米尺度物理
2011-06-13 v2 量子物理
摘要
我们应用最近引入的哈伯德模型方法来定量描述硅双量子点系统的实验电荷稳定性图和隧穿耦合。将广义哈伯德模型和微观理论计算的结果与现有实验数据进行比较，发现理论与实验之间具有极好的一致性。我们理论的核心近似是将完整的多电子多能带系统简化为一个数值上可处理的有效双电子模型。在微观理论中，我们利用Hund-Mulliken近似处理电子波函数，并比较了使用两种不同形式的限制势（双二次势和高斯势）计算的结果。我们讨论了这项工作对未来研究的意义。
引用
@article{arxiv.1103.5460,
title = {Hubbard model description of silicon spin qubits: charge stability diagram and tunnel coupling in Si double quantum dots},
author = {S. Das Sarma and Xin Wang and Shuo Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.5460},
year = {2011}
}
备注
11 pages, 3 figures