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扭曲双谷二维系统中的电子态理论

介观与纳米尺度物理 2021-01-14 v1

摘要

本文考虑一个类似于带隙石墨烯(例如氟化石墨烯)且包含两个或更多电子谷的系统。假设该材料具有一个扇形切口并在平面内发生形变,且切口边缘相连形成一个无扩展缺陷的绝热弯曲原子网。我们忽略形变势。在此类系统中,谷中心局域动量 K{\bf K} 充当赝磁场的矢量势。我们求得了在任意点处 K{\bf K} 沿几何空间方位角取向情况下的系统电子态。结果表明,该矢量势导致局域离散电子态的出现。在数学上,该问题被映射为具有依赖于 K{\bf K} 的有效电荷的库仑问题。

关键词

引用

@article{arxiv.2101.05005,
  title  = {Theory of electron states in a twisted two-valley 2D system},
  author = {M. V. Entin and L. I. Magarill},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2101.05005},
  year   = {2021}
}

备注

8 pages, 5 figures