带隙石墨烯双量子点中的谷对量子比特
介观与纳米尺度物理
2011-07-05 v2 量子物理
摘要
石墨烯的兴起为量子比特的实现打开了新的大门，正如近期关于带隙石墨烯双量子点中谷对量子比特的提案所讨论的那样 (Wu et al., arXiv: 1104.0443 [cond-mat.mes-hall])。本文提出了该提案背后的综合理论。它讨论了此类结构中电子与外部磁场和电场的相互作用。具体而言，它考察了一种强大且独特的机制，即带隙石墨烯中一阶相对论效应的类比。该机制无状态混合，并结合电可调交换耦合，允许通过电门在纳秒 (ns) 时间尺度上对量子比特进行快速的全电操控。本文还研究了典型情况下的容错问题，得出在 10 K 温度下具有较长的量子比特相干时间 (~O(ms))。
引用
@article{arxiv.1106.4892,
title = {Valley pair qubits in double quantum dots of gapped graphene},
author = {G. Y. Wu and N. -Y. Lue and L. Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.4892},
year = {2011}
}
备注
47 pages, 5 figures