基于 VOI 的谷电子学
介观与纳米尺度物理
2013-02-18 v3 量子物理
摘要
我们讨论了谷 - 轨道相互作用 (VOI) 以及基于 VOI 的谷电子学概念。以石墨烯为例材料，阐述了此类谷电子学在包括场效应晶体管 (FET)、量子计算和量子通信在内的若干前沿应用中的潜力。文中讨论了两个重要器件作为示例：1) 耦合石墨烯量子点中的谷对量子比特，用于构建由石墨烯和光子组成的量子网络；2) 由石墨烯量子线（沟道）和扶手椅型石墨烯纳米带（源极和漏极）组成的基于谷的 FET，用于构建基于石墨烯的低功耗 FET 电路。这一演示使得基于 VOI 的谷电子学成为电子学领域一个极具吸引力的研发方向。
引用
@article{arxiv.1212.6376,
title = {The VOI-Based Valleytronics},
author = {G. Y. Wu and N. -Y. Lue and Y. -C. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.6376},
year = {2013}
}
备注
26 pages, 7 figures