ScN 双极性掺杂可能性的理论研究
材料科学
2009-09-29 v1
摘要
氮化钪 (ScN) 是一种半导体过渡金属氮化物，目前尚未发现其掺杂剂。我们采用超胞方法下的局域密度泛函计算，研究了在 N 位掺杂 O 和 C、在 Sc 位掺杂 Ca 和 Ti 的 ScN。少量添加这些原子会导致费米能级在电子能带结构中发生移动。O 和 Ti 在导带底部引入占据态，而 C 和 Ca 在价带顶部产生空穴。基于该理论，我们提出氮化钪可能实现双极性掺杂。
引用
@article{arxiv.0803.3644,
title = {Theoretical study on the possibility of bipolar doping of ScN},
author = {G. Soto and M. G. Moreno-Armenta and A. Reyes-Serrato},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.3644},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 1 figure