双分子和三分子三子形成系数的理论推导
材料科学
2009-01-26 v1
摘要
本文对单个GaAs/Al_{1-x}Ga_{x}As量子阱中自由载流子形成三子的过程进行了理论研究。形成过程的机制由电子和空穴与声子的相互作用提供。考虑了声学声子和光学声子的贡献。计算了双分子和三分子形成速率对温度的依赖关系。我们证明它们对于带负电和带正电的激子是等价的。
引用
@article{arxiv.0901.3645,
title = {Theoretical derivation of the bi- and tri-molecular trion formation coefficients},
author = {J. Berney and M. T. Portella-Oberli and B. Deveaud-Plédran},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.3645},
year = {2009}
}