半导体靶中暗物质诱导电子跃迁计算中的波函数重构效应
材料科学
2019-04-09 v3 高能物理 - 唯象学
摘要
亚 GeV 暗物质(DM)在半导体中诱导的电子激发物理,已在标准平面波(PW)与赝势计算方案的框架下被广泛讨论。本文中,我们研究了全电子(AE)重构对 DM 诱导电子跃迁事件率估计的影响。作为基准研究,我们首先在投影缀加波(PAW)框架下基于 AE 与赝(PS)方案计算硅和锗块体晶体中的波函数,随后比较这两种方法所得激发事件率。结果表明,在运动学允许大动量转移的过程中,两种计算所得事件率可相差数倍。此类差异被发现源于 PS 方案中所忽略的高动量分量。因此这意味着,为准确估计半导体中 DM 诱导跃迁事件率,来自芯区 AE 波函数的修正是必要的。
引用
@article{arxiv.1810.13394,
title = {The wavefunction reconstruction effects in calculation of DM-induced electronic transition in semiconductor targets},
author = {Zheng-Liang Liang and Lin Zhang and Ping Zhang and Fawei Zheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.13394},
year = {2019}
}
备注
A missing factor $64^{-3/2}=1/512$ associated with the Fourier transformation is added to both the AE and PS event rates in this version. The ratio between the AE and PS event rates is not affected