用类轫致辐射过程与多体效应描述米格达尔效应
高能物理 - 唯象学
2021-09-15 v3 材料科学
摘要
近期的理论研究表明，被暗物质(DM)粒子突然反冲的原子激发或失去其电子的概率远大于预期。这种米格达尔效应为探索亚GeV DM粒子提供了新途径。已有多种尝试描述液体和半导体靶中的米格达尔效应。本文结合轫致辐射过程的处理与电子多体效应，对体半导体靶金刚石和硅中的米格达尔效应给出完整描述。与在紧束缚(TB)近似框架下基于原子中心局域化万尼尔函数(WFs)所得结果相比，由于标度关系，本研究提出的方法在低能区给出大得多的事件率。我们还发现，介导反冲离子与电子-空穴对之间库仑相互作用的轫致辐射光子，其作用等价于单个声子的交换。
引用
@article{arxiv.2011.13352,
title = {Describing the Migdal effect with a bremsstrahlung-like process and many-body effects},
author = {Zheng-Liang Liang and Chongjie Mo and Fawei Zheng and Ping Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.13352},
year = {2021}
}
备注
matches the published version;the contributions of off-diagonal terms in the ELFs are included