在半导体中测量米格达尔效应以用于暗物质探测
高能物理 - 唯象学
2023-03-24 v2 天体物理仪器与方法
高能物理 - 实验
仪器与探测器
摘要
米格达尔效应（Migdal effect）受到了暗物质直接探测领域的广泛关注，特别是由于其在设定亚GeV粒子暗物质限制方面的能力。目前，尚无通过标准模型探针的核散射对米格达尔效应进行的实验确认。在这项工作中，我们将现有的米格达尔效应计算扩展到中子-核散射的情形，特别关注硅中的中子散射角分布。我们确定了当前米格达尔效应计算中所作假设在中子散射下成立的动力学区域，并证明这些区域包含可行的中子校准方案。然后，我们应用该框架提出一种实验策略，利用费米实验室NEXUS设施的升级版在低温硅探测器中测量米格达尔效应。
引用
@article{arxiv.2210.04917,
title = {Measuring the Migdal effect in semiconductors for dark matter detection},
author = {Duncan Adams and Daniel Baxter and Hannah Day and Rouven Essig and Yonatan Kahn},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.04917},
year = {2023}
}
备注
17 pages, 5 figures