中文

介质中屏蔽效应对银河系晕与半导体靶中太阳反射暗物质探测的影响

高能物理 - 唯象学 2021-12-17 v3

摘要

近来,暗物质(DM)探测中电子多体效应的重要性已被认识,且基于靶材料介电响应的 DM-电子散射相干表述已在文献中确立。本文中,我们将相关公式用于金刚石与硅半导体靶激发事件率的实用密度泛函理论(DFT)估算。此外,我们比较了由含与不含局域场效应的能量损失函数计算的事件率。作为该数值方法的一致性检验,我们还将硅的差分谱与探测可达性同用 GPAW\mathtt{GPAW} 代码计算的结果进行比较。结果表明该 DFT 方法相当一致且稳健。作为一个有趣的拓展,我们还研究了介质内效应对硅基探测器中太阳反射 DM 通量探测的影响,发现屏蔽效应在光学厚 regime 中同样显著,而在光学薄 regime 中变得不显著,取决于反射 DM 粒子的能量。

关键词

引用

@article{arxiv.2107.01209,
  title  = {In-medium screening effects for the Galactic halo and solar-reflected dark matter detection in semiconductor targets},
  author = {Zheng-Liang Liang and Chongjie Mo and Ping Zhang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2107.01209},
  year   = {2021}
}

备注

matches the published version