考虑介质内效应的暗物质-电子散射晕无关分析

Muping Chen; Graciela B. Gelmini; Volodymyr Takhistov

doi:10.1016/j.physletb.2023.137922

考虑介质内效应的暗物质-电子散射晕无关分析

高能物理 - 唯象学 2023-05-17 v1 宇宙学与河外天体物理高能物理 - 实验

作者: Muping Chen , Graciela B. Gelmini , Volodymyr Takhistov

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摘要

暗物质（DM）-电子散射是众多直接 DM 探测实验的主要目标，并构成了探索亚 GeV 质量范围 DM 相互作用的有前景途径，而该范围用核反冲难以探测。我们将最近提出的 DM-电子散射晕无关分析方法（可在不对局域 DM 晕属性作额外假设的情况下推断其性质）进行扩展，通过靶材料的介电函数纳入介质内效应。我们表明，介质内效应可能显著影响锗和硅的晕无关分析响应函数，因此对从直接 DM 探测数据正确推断局域 DM 晕特征至关重要。

关键词

暗物质电子散射晕无关分析介质内效应介电函数直接探测

引用

@article{arxiv.2209.10902,
  title  = {Halo-Independent Dark Matter Electron Scattering Analysis with In-Medium Effects},
  author = {Muping Chen and Graciela B. Gelmini and Volodymyr Takhistov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2209.10902},
  year   = {2023}
}

备注

9 pages, 5 figures

考虑介质内效应的暗物质-电子散射晕无关分析

摘要

关键词

引用

备注

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