具有自旋轨道耦合材料中的暗物质直接探测
高能物理 - 唯象学
2022-08-10 v1 材料科学
摘要
具有带隙的半导体已被证明是搜寻亚MeV质量暗物质（DM）的有前景靶材。本文我们关注一类材料，其中此类窄带隙作为自旋轨道耦合（SOC）的自然结果而出现。具体而言，我们感兴趣的是利用最先进的密度泛函理论（DFT）技术计算这些材料中的DM-电子散射与吸收率。为此，我们将DM相互作用率计算拓展以包含SOC效应，这需要将自旋相关波函数予以推广。我们将新形式体系应用于以ZrTe靶材为例的若干DM基准模型来推算限制，并表明SOC的纳入可显著改变预期约束。
引用
@article{arxiv.2202.11716,
title = {Dark Matter Direct Detection in Materials with Spin-Orbit Coupling},
author = {Hsiao-Yi Chen and Andrea Mitridate and Tanner Trickle and Zhengkang Zhang and Marco Bernardi and Kathryn M. Zurek},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.11716},
year = {2022}
}
备注
16 pages, 6 figures