二维t-t'-U模型作为铜氧化物材料的最小模型
超导电性
2009-10-30 v2 强关联电子
摘要
在Hubbard哈密顿量中加入一个被认为对高Tc铜氧化物超导体具有材料依赖性的t'对角跳跃项，通常被认为是为了获得一个能够描述高Tc铜氧化物材料物理的模型。沿着这一思路，我们利用复合算符方法研究了二维t-t'-U模型，该方法通过利用对称性要求（如泡利原理带来的要求）能够以完全自洽的方式确定动力学。首先，计算了一些局部量以便与量子蒙特卡洛数据进行比较。然后，计算了能带结构、费米面形状和van Hove奇异性的位置作为模型参数的函数，并根据现有实验数据进行了研究。我们的研究结果表明，存在两组参数使得该模型能够描述单层化合物NCCO和LSCO的相关特征。另一方面，对于双层化合物YBCO，无法找到一组合理的参数来重现ARPES实验预测的van Hove奇异性位置。因此，是否存在一个像t-t'-U模型所设想的那样能够恰当描述各种铜氧化物超导体的唯一模型，是值得怀疑的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9707088,
title = {The two-dimensional t-t'-U model as a minimal model for cuprate materials},
author = {Adolfo Avella and Ferdinando Mancini and Dario Villani and Hideki Matsumoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9707088},
year = {2009}
}
备注
8 pages, RevTex, 10 Postscript figures, submitted to Phys. Rev. B. This paper, as many others from the same authors, can be downloaded by anonymous FTP at ftp://pcalea.csied.unisa.it