TRAMOS像素作为光电探测器件：设计、架构与构建模块
仪器与探测器
2018-12-26 v1
摘要
深俘获栅器件概念近期由Saclay/IRFU提出，用于带电粒子探测。该器件基于一种n-MOS结构，其中位于n沟道下方的埋栅收集由电离粒子产生的载流子。这些粒子在埋栅下方的体区中沉积能量。该n沟道器件基于空穴在埋栅中的局域化。在读出期间可测量到源漏电流调制。埋栅（深俘获栅，DTG）包含深能级中心，这些中心可在工艺过程中引入，或可通过量子阱实现。该器件可按比例缩小，提供微米级分辨率。此类器件的原理验证已通过二维器件与工艺仿真完成。目前的工作重点在于构建模块的研究。本文首先将讨论利用现有制造技术进行的像素设计验证，随后将探讨该像素在光子成像中的应用。
引用
@article{arxiv.1710.08284,
title = {The TRAMOS pixel as a photo-detection device: design, architecture and building blocks},
author = {Nicolas T. Fourches and Vishant Kumar and Yves Serruys and G. Gutierrez and F. Leprêtre and F. Jomard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.08284},
year = {2018}
}