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具有超尺度违背的全息掺杂Mott绝缘体的超导穹顶

高能物理 - 理论 2021-07-15 v3 强关联电子

摘要

我们以修正的视角重新审视了在温度-掺杂相图上呈现超导穹顶的全息模型,重点关注两种电荷的作用。密度为 ρA\rho_{A} 的第一类电荷构成Mott绝缘体,密度为 ρB\rho_{B} 的第二类电荷为掺杂引入的额外电荷,从而描述库珀对凝聚的复标量仅与第二种电荷耦合。我们指出,产生穹顶的关键作用由三点相互作用 cχ2FμνGμν-c \chi^{2} F_{\mu\nu}G^{\mu\nu} 扮演。TcTc 随其耦合而增大。我们还利用超尺度违背几何考虑了隐藏于穹顶下的量子临界点的影响。我们的结果表明,无论 θ\theta 如何,穹顶尺寸和最优温度都随 zz 增大而增大,而对于更大(更小)的穹顶,当 z>2z>2z<2z<2)时我们得到更大的 θ\theta。我们还指出,凝聚值随 θ\theta 增大而增大,但随 zz 减小而增大。

关键词

引用

@article{arxiv.2009.00381,
  title  = {The superconducting dome for holographic doped Mott insulator with hyperscaling violation},
  author = {Wenhe Cai and Sang-Jin Sin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2009.00381},
  year   = {2021}
}

备注

14 pages, 25 figures