大质量中微子存在下的溅射回质量函数

我们提出一种基于暗物质晕溅射回质量函数的扩散系数约束中微子总质量 $\sum m_{\nu}$ 的补充方法。分析来自大质量中微子模拟的快照数据，我们在 $\sum m_{\nu}=0.0$ eV 与 $0.1$ eV 两种情形下数值获得由 SPARTA 代码识别的不同晕的数密度作为其溅射回质量在各种红移下的函数。随后我们将数值结果拟合于近期发展的以扩散系数为特征的分析公式，该系数量化溅射回边界识别中的模糊程度。我们的分析确认该分析公式即使在中微子存在下也极好适用，且其扩散系数随红移的递减在 $0.2\le z\le 2$ 红移范围内可由线性拟合 $B(z-z_{c})$ 很好描述。结果表明大质量中微子情形给出显著更低的 $B$ 值与显著更高的 $z_{c}$ 值，意味着中微子质量越大，溅射回边界受周边扰动越严重。鉴于我们的结果，我们结论认为中微子总质量原则上可通过测量溅射回质量函数扩散系数在 $z\ge 0.2$ 随红移衰减的速率来约束。我们也讨论两种 $\sum m_{\nu}$ 情形下在较低红移发现的扩散系数异常行为，并将其归因于 SPARTA 代码在 $z\le 0.13$ 的根本局限。