低质量自旋偏置的物理起源

在 $z=0$，质量高于 $\log(\text{M}_{\text{c}}/h^{-1}\text{M}_\odot)\simeq 11.5$ 的高自旋晕比同质量低自旋晕具有更高的偏置。然而，已知该趋势在此特征交叉质量 $\text{M}_{\text{c}}$ 以下反转。本文中，我们测量了低质量端晕自旋偏置的红移演化与尺度依赖，并证明该信号的反转完全由溅射晕效应产生。这些低质量晕倾向于生活在显著更大质量晕的附近，从而共享其大尺度偏置性质。我们进一步表明，红移依赖的交叉质量尺度 $\text{M}_{\text{c}}(z)$ 的位置完全由低自旋与高自旋子群体中溅射晕的相对丰度决定。一旦从样本中移除溅射晕，自旋偏置的内禀质量依赖便得以恢复。由于溅射晕已被证明可解释低质量端部分聚集偏置信号，我们的结果揭示了两种不同次级偏置趋势——自旋偏置与聚集偏置——之间的特定联系。