Td-MoTe2中开启现象的起源
材料科学
2017-09-13 v1 强关联电子
摘要
我们在不同温度和磁场下进行了电阻率和扫描隧道显微镜/谱学(STM/STS)实验，以研究Td-MoTe2的开启(t-o)现象的起源。有两个有趣的观察结果。首先，磁阻(MR)遵循Kohler规则标度：MR ∝ (H/ρ0)^m，其中m ≈ 1.92；不同磁场下的t-o温度T也可按T ∝ (H-Hc)^u标度，其中u = 1/2。其次，STM/STS实验验证了Td-MoTe2中补偿电子-空穴袋与温度诱导的可能电子结构相变的共存。与H=0下Td-MoTe2单晶的STS相比，即使施加磁场高达7 T，STS几乎不变。讨论了Td-MoTe2中t-o现象的起源。同时，我们分析了空穴和电子密度近乎平衡的极大磁阻材料中t-o现象的普适性和适用性，以及空穴或电子密度占主导地位的其他系统中的情况。
引用
@article{arxiv.1707.02570,
title = {The origin of the turn-on phenomenon in Td-MoTe2},
author = {Q. L. Pei and W. J. Meng and X. Luo and H. Y. Lv and F. C. Chen and W. J. Lu and Y. Y. Han and P. Tong and W. H. Song and Y. B. Hou and Q. Y. Lu and Y. P. Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.02570},
year = {2017}
}
备注
Attepted by Phys. Rev. B