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Sr$_2$NaNb$_5$O$_{15} 堆积错位的显微结构

材料科学 2025-11-12 v2

摘要

在铁电材料中,堆积错位及其他拓扑缺陷可显著影响材料的电子和机械性质。本文通过透射电子显微镜、对称模式分析和机器学习势场计算,对 Sr2_2NaNb5_5O15材料中的规则堆积错位进行了研究。结果表明,由于沿b轴方向_{15} 材料中的规则堆积错位进行了研究。结果表明,由于沿 b 轴方向 \frac{1}{4}单元位移,堆积错位的错位向量为 单元位移,堆积错位的错位向量为 \frac{1}{4}[\bar{2}12]_o,以四个为单位被消除。由此产生的四个领域呈现为S,以四个为单位被消除。由此产生的四个领域呈现为 S_3序参数的四个可能方向,与材料中NbO 序参数的四个可能方向,与材料中 NbO_6八面体倾斜有关。势场计算揭示,堆积错位likely位于相邻领域八面体倾斜幅度相似的位置,估计的堆积错位能分为46mJ/m 八面体倾斜有关。势场计算揭示,堆积错位 likely 位于相邻领域八面体倾斜幅度相似的位置,估计的堆积错位能分为 46 mJ/m^2$。本次调查表明,堆积错位对结构中出现的极化模态具有显著的局部影响,从而可能影响铁电性质。

关键词

引用

@article{arxiv.2511.06983,
  title  = {The Microscopic Structure of Stacking Faults in Sr$_2$NaNb$_5$O$_{15}$},
  author = {Robin Sjökvist and Yining Xie and Zabeada Aslam and Andy P. Brown and Nicholas C. Bristowe and Mark S. Senn and Richard Beanland},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2511.06983},
  year   = {2025}
}

备注

Main: 18 pages, 6 figures. Supplementary: 9 pages, 9 figures