轻矢量介子同位旋多重态间的质量分裂

通过纳入赝标介子之间的强同位旋对称性破缺效应和电磁贡献，我们在SU(3)手征微扰论（ChPT）和耦合道反振幅方法的框架下，计算了$P$波$\pi\pi$和$K\pi$散射的相移至$\mathcal{O}(p^4)$。我们利用当前的介子-介子散射数据重新拟合低能常数，并推导出$\rho$和$K^{*}$的带电与中性同位旋多重态的质量差。我们的结果表明，$\rho^{\pm}$与$\rho^{0}$之间的质量差非常小，而带电与中性$K^{*}$之间的质量差可达相对较大的值$m_{K^{*0}}-m_{K^{*+}}= 2.91^{+1.43}_{-1.41}$ MeV。这一完整单圈ChPT计算将有助于更好地理解关于$K^{*}$质量分裂这一长期存在的谜题。