Scifaro

中文

Si$_{(1-x)}$Ge$_x$ 中的 Hall 效应与离子杂质散射

凝聚态物理 2014-08-04 v2

作者: P. Kinsler , W. Th. Wenckebach

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

通过蒙特卡罗模拟，我们展示，在模型中包含离子杂质散射对于预测 Si $_{(1-x)}$ Ge $_x$ 正确的 Hall 参数至关重要。我们的结果与 Joelsson 等人的实验数据（JAP, 1997）表现良好地一致。

关键词

Hall 效应离子杂质散射 SiGe 蒙特卡罗模拟 Hall 参数

引用

@article{arxiv.cond-mat/0309082,
  title  = {The Hall Effect and ionized impurity scattering in Si$_{(1-x)}$Ge$_x$},
  author = {P. Kinsler and W. Th. Wenckebach},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309082},
  year   = {2014}
}

备注

5 pages, 4 figures, 3 tables, 2 authors, and a logo. v2 improved referencing