反磁半导体MnSb_2S_4的电子结构
材料科学
2016-08-31 v1
摘要
我们采用局部交换密度近似(LSDA)对正交范畴(oP28)和单斜范畴(mC28)MnSb_2S_4的电子能带进行了ab initio计算。通过考虑非磁性、铁磁性、抗铁磁性和抗磁性模型排列，使用增强球形波(ASW)方法对其电子性质和化学键进行分析。在实验结果的指导下，两种MnSb_2S_4均被预测为抗磁性材料。虽然单斜型MnSb_2S_4的实验带隙未被准确计算，但正交型MnSb_2S_4的计算带隙与实验值相当吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504669,
title = {The electronic structure of the antiferromagnetic semiconductor MnSb_2S_4},
author = {S. F. Matar and R. Weihrich and D. Kurowski and A. Pfitzner and V. Eyert},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504669},
year = {2016}
}
备注
21 pages, 7 figures