辐射对砷化镓辐射探测器的影响
仪器与探测器
2009-10-30 v1
摘要
半绝缘、未掺杂、液封直拉法（SI-U LEC）GaAs 探测器已分别用 1MeV 中子、24GeV/c 质子与 300MeV/c 介子辐照。所用最大注量分别为 6、3 和 1.8~10 particles/cm。对于这三类辐照，探测器的电荷收集效率（cce）均因电子与空穴平均自由程的减小而下降。介子与质子辐照比中子辐照造成更大幅度的 cce 下降，其中介子效应最强。将探测器在室温、200C 以及用闪光灯在 450C 下退火，已被证明可降低漏电流并提高辐照后探测器的 cce。闪光灯退火通过增加电子平均自由程使 cce 从 26% 提升至 70%，增幅最大。两个掺铟样品经 24GeV/c 质子辐照，在辐照后 cce 方面相对于 SI U GaAs 未显示出改善。
引用
@article{arxiv.physics/9708033,
title = {The effects of radiation on Gallium Arsenide radiation detectors},
author = {R. L. Bates and C. Da'Via and S. D'Auria and V. O'Shea and C. Raine and K. M. Smith},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/9708033},
year = {2009}
}
备注
12 pages. 10 postscript figures + 1 postscript preprint logo + 1 LaTeX file + 1 style file. Also available at http://ppewww.ph.gla.ac.uk/preprints/97/04/