离域 $\sigma$-孔对卤代分子中原子中心部分电荷的影响
化学物理
2022-01-05 v1
摘要
原子部分电荷属于计算化学的关键概念。然而在某些情况下，它们无法描述分子的静电性质。其中一个例子是 -孔，即位于卤素及其他原子上的正静电势区域。在分子力学中，-孔常被建模为带有正部分电荷、位于卤素原子核外的伪原子。本文探讨一个问题：伪原子在多大程度上影响分子中其他原子的部分电荷。为此，我们详尽分析了来自 ZINC 数据库的超过 2300 个卤代分子经限制静电势（RESP）方法计算所得的部分电荷，并将其与包含伪原子由 RESP 拟合的电荷进行比较。我们表明，伪原子改善了绝大多数分子的电荷拟合。建模为离域电荷的 -孔影响距卤素三个共价键以内的原子。
引用
@article{arxiv.2201.00890,
title = {The Effect of Off-Center $\sigma$-Hole on the Atom-Centered Partial Charges in Halogenated Molecules},
author = {Aneta Leskourová and Michal H. Kolář},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.00890},
year = {2022}
}
备注
11 pages, 3 figures