金属氧化物作为RRAM氧化物层与人工智能的结合
新兴技术
2023-05-02 v1 机器学习
计算物理
摘要
阻变随机存取存储器（RRAM）因其高速、低功耗和优异的可扩展性，是下一代存储器件的有力候选。金属氧化物因其高介电常数与稳定性，常被用作RRAM器件的氧化物层。然而，为进一步提升RRAM器件性能，近期研究聚焦于人工智能（AI）的集成。AI可用于优化RRAM器件性能，而RRAM亦可作为一种硬件加速器及在神经形态计算中为AI提供算力。本综述概述了基于金属氧化物的RRAM与AI的结合，重点介绍这两个方向上的近期进展。我们讨论了利用AI提升RRAM器件性能以及利用RRAM为AI提供算力。此外，我们阐述了该领域的关键挑战并对未来研究方向提供见解。
引用
@article{arxiv.2305.00166,
title = {The Combination of Metal Oxides as Oxide Layers for RRAM and Artificial Intelligence},
author = {Sun Hanyu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.00166},
year = {2023}
}