技术表面二次电子发射产额 (SEY) 的化学起源
加速器物理
2013-08-07 v1
摘要
大型强子对撞机 (LHC) 束流屏用共层压铜 (Cu) 样品的二次电子发射产额 (SEY) 特性与其通过 X 射线光电子能谱确定的表面化学成分相关联。“原样”样品的表面特征为存在大量污染吸附物，且 SEY 曲线的最大值 (dmax) 高达 2.2。在动能分别为 10 eV 和 500 eV 下进行扩展电子清洗后，dmax 值分别降至极限值 1.35 和 1.1。在这两种情况下，表面氧化相均显著减少，而仅在 500 eV 清洗的样品中观察到类石墨碳 (C) 层的形成。我们发现，技术铜表面的电子清洗过程可描述为两个步骤：第一步是电子诱导的弱结合污染物解吸，该过程在 10 eV 和 500 eV 下均无差别地发生，对应于 dmax 的部分降低；第二步由更高能量的电子激活，并在高剂量下变得明显，它通过解离已污染“原样”表面或在辐照过程中积累在该表面的吸附物，增加了类石墨 C-C 键的数量。我们的结果表明，在通过电子诱导化学处理调节铜及其他金属的技术表面时，入射电子的动能是一个关键参数。
引用
@article{arxiv.1308.1290,
title = {The Chemical Origin of SEY at Technical Surfaces},
author = {R. Larciprete and D. R. Grosso and M. Commisso and R. Flammini and R. Cimino},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.1290},
year = {2013}
}
备注
6 pages, contribution to the Joint INFN-CERN-EuCARD-AccNet Workshop on Electron-Cloud Effects: ECLOUD'12; 5-9 Jun 2012, La Biodola, Isola d'Elba, Italy; CERN Yellow Report CERN-2013-002, pp.99-104