基于 AlGaInP 多量子阱发光器件中电压调制发光与负电容的温度依赖性反转
介观与纳米尺度物理
2013-04-15 v1
摘要
我们报道了基于 AlGaInP 的多量子阱电致发光二极管在温度变化下，其负电容和电压调制发光出现的反转现象。与连续波（CW）发光随温度降低而单调增加不同，调制电致发光和负电容在从室温冷却的过程中先增加至最大值，随后减小。这种电子与光学性质的相互依赖性被理解为：在温度变化过程中，缺陷参与辐射复合与场辅助载流子从量子阱区域逃逸之间的竞争所致。为了获得更高的效率，最大发光温度必须与器件的工作温度相一致。
引用
@article{arxiv.1208.1893,
title = {Temperature dependent reversal of voltage modulated light emission and negative capacitance in AlGaInP based multi quantum well light emitting devices},
author = {Kanika Bansal and Shouvik Datta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.1893},
year = {2013}
}
备注
13 pages, 3 set of figures