Mg-Si-Sn 体系中立方与三方固溶体的合成、制备及输运性质
材料科学
2017-11-13 v1
摘要
Mg-Si-Sn 固溶体具有有趣且有用的半导体性质，尤其在热电应用中。尽管立方固溶体已通过多种方法制备，但具有三方晶体结构的固溶体尚未见报道。我们结合高能球磨与电流激活压力辅助致密化（CAPAD）来诱导并完成从立方相到三方相的相变，形成致密三方复合体。这是首次在 Mg-Si-Sn 体系中成功制备三方相。此外，我们报道了在 160 至 400 K 范围内测量的立方与三方复合体的输运性质。三方复合体的电导率比立方对应物高出数倍，而热导率较低，但仍处于先前报道的 Mg-Si-Sn 材料范围内。三方复合体的塞贝克系数低于立方样品，导致低的 ZT 值。然而，立方样品的 ZT 高于先前报道的未掺杂 Mg-Si-Sn 固溶体，这对热电应用颇具前景。
引用
@article{arxiv.1711.03618,
title = {Synthesis, processing and transport properties of cubic and trigonal solid solutions in the Mg-Si-Sn system},
author = {Pathikumar Sellappan and Anthony Y. Fong and Masayuki Murata and Yasuhiro Kodera and Javier E. Garay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.03618},
year = {2017}
}
备注
10 figures and 1 table