单晶氮化镥薄膜的合成
材料科学
2023-07-18 v1 强关联电子
超导电性
摘要
在氮掺杂氢化镥（Lu-H-N）体系中，Lu-N化学键的存在对于在近常压下出现可能的室温超导起着关键作用。然而，由于单晶LuN的合成是一大挑战，迄今为止对LuN的理解仍不充分。在此，我们报道了单晶LuN薄膜的外延生长。LuN薄膜的晶体结构通过高分辨率X射线衍射进行了表征。低温电输运测量表明，LuN薄膜在300至2 K范围内呈半导体行为，活化能隙约为 0.02 eV。有趣的是，在12 K以下可观察到负磁电阻，这可能源于LuN薄膜中的缺陷和磁性杂质。我们的结果揭示了单晶LuN薄膜的电子与磁学性质。
引用
@article{arxiv.2307.08437,
title = {Synthesis of single-crystalline LuN films},
author = {Guanhua Su and Shuling Xiang and Jiachang Bi and Fugang Qi and Peiyi Li and Shunda Zhang and Shaozhu Xiao and Ruyi Zhang and Zhiyang Wei and Yanwei Cao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.08437},
year = {2023}
}