利用杂化泛函对高压 Lu-N-H 材料的研究
强关联电子
2023-10-10 v2
摘要
近期报道表明 Lu-N-H 材料具有室温超导性，并且对 Lu 的 f 电子施加 Hubbard U 校正是必要的，不同的 Lu-N-H 构型均采用了常数 U = 5.5 eV（Nature 615, 244 (2023)）。随后的模拟表明，U = 0 eV 时 LuH 的超导转变温度（T）为 50 ~ 60 K，而掺 N 的 LuH 低于 30 K。最近，U = 5 eV 的计算表明，掺 N 的 LuH 的 T 超过 100 K。Lu-N-H 的性质对所施加的 U 值很敏感。在此，基于杂化泛函系统研究了高压（0 ~ 10 GPa）下 Lu-N-H 的结构与电子性质。我们表明，不同的 Lu-N-H 构型应具有从 6.4 eV 到 7.4 eV 不等的 U 值。此外，在 0 GPa 至 1 GPa 的压力范围内，掺 N 的 LuH 的 f 和 d 带中心表现出振荡甚至平台，绝缘体的带隙在此压力附近也表现出平台，这与 Lu-N-H 中出现室温超导的压力范围一致。我们的工作为理解 Lu-N-H 材料以及其他基于稀土元素的富氢超导体提供了见解。
引用
@article{arxiv.2306.11511,
title = {Investigations of pressurized Lu-N-H materials by using the hybrid functional},
author = {Wenfeng Wu and Zhi Zeng and Xianlong Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.11511},
year = {2023}
}