磁掺杂与未掺杂拓扑绝缘体中同步辐射诱导的磁化
材料科学
2018-06-20 v1
摘要
量子力学假设任何测量都会影响被研究系统的状态。在这里，通过角分辨、自旋分辨和时间分辨光电子能谱实验以及第一性原理计算，我们展示了在 V 掺杂和未掺杂拓扑绝缘体中，由线偏振同步辐射光激发产生的具有相反动量的狄拉克锥态的不等去占据，随后通过自旋力矩效应产生了空穴诱导的未补偿自旋积累和同步辐射诱导的磁化。我们表明，DC 的光激发是不对称的，它随光子能量变化，并且在弛豫过程中几乎没有变化。我们发现了光激发不对称性、产生的自旋积累以及 DC 和 V 3d 态诱导的自旋极化之间的关系。实验上，同步辐射产生的面内和面外磁化得到了 DC 位置 移移以及甚至在居里温度以上狄拉克点处态分裂的证实。物理量的理论预测和估计支持了实验结果。
引用
@article{arxiv.1707.08798,
title = {Synchrotron radiation induced magnetization in magnetically-doped and pristine topological insulators},
author = {A. M. Shikin and D. M. Sostina and A. A. Rybkina and V. Yu. Voroshnin and I. I. Klimovskikh and A. G. Rybkin and D. A. Estyunin and K. A. Kokh and O. E. Tereshchenko and L. Petaccia and G. Di Santo and P. N. Skirdkov and K. A. Zvezdin and A. K. Zvezdin and A. Kimura and E. V. Chulkov and E. E. Krasovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.08798},
year = {2018}
}
备注
17 pages, 8 figures