Sb 薄膜中通过双侧自旋流注入的表面态介导自旋-电荷转换
材料科学
2025-06-24 v1
摘要
我们在由 Co(12 nm)/Sb(t)/Py(12 nm) 构成的三层结构中研究了自旋-电荷转换现象，其中锑层厚度 t 可变。利用自旋泵浦技术，从两侧铁磁层向中间层注入纯自旋流，随后测量直流电压。我们观察到 Sb 层中的自旋-电荷转换机制与由表面态驱动的反向 Rashba-Edelstein 效应（IREE）表现出显著相似性。
引用
@article{arxiv.2309.01175,
title = {Surface-state mediated spin-to-charge conversion in Sb films via bilateral spin current injection},
author = {E. Gomes and J. E. Abrão and E. S. Santos and S. Bedanta and H. Ding and J. B. S. Mendes and A. Azevedo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.01175},
year = {2025}
}
备注
6 pages, 4 figures