SmB$_6$表面逆埃德尔斯坦效应的电学探测
应用物理
2020-08-11 v2
摘要
我们报道了在候选拓扑近藤绝缘体SmB6单晶表面测量由自旋流诱导的电荷积累，即逆埃德尔斯坦效应（IEE）。SmB6稳健的表面导电通道已被证明表现出很大程度的自旋-动量锁定，通过外部铁磁接触的自旋极化电流在SmB6表面诱导出自旋依赖的电荷积累。IEE信号对偏置电流、外磁场方向和温度的依赖关系与SmB6表面能带在动量空间中的逆时针自旋织构一致，并且该效应的方向与大小相较于正常埃德尔斯坦信号可由昂萨格倒易关系清晰解释。此外，我们估算出自旋-电荷转换效率，即IEE长度为4.46 nm，比在其他典型Rashba界面中发现的效率高一个数量级，这意味着Rashba对IEE信号的贡献可能很小。基于现有关于该材料表面电荷与自旋传导性质的报道，我们的结果提供了SmB6表面支持自旋极化导电通道的额外证据。
引用
@article{arxiv.2006.11682,
title = {Electrical detection of the inverse Edelstein effect on the surface of SmB$_6$},
author = {Jehyun Kim and Chaun Jang and Xiangfeng Wang and Johnpierre Paglione and Seokmin Hong and Shehrin Sayed and Dongwon Chun and Dohun Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.11682},
year = {2020}
}
备注
5 figures