利用横向自旋阀研究 Cu/Bi 界面逆 Rashba-Edelstein 效应的起源
介观与纳米尺度物理
2016-01-19 v2
摘要
利用坡莫合金/铜/铋 (Py/Cu/Bi) 横向自旋阀结构研究了铋的自旋输运及自旋 - 电荷电流转换特性。自旋电流在 Bi 表面被强烈吸收，导致极短的自旋扩散长度。测量到了自旋 - 电荷电流转换，并将其归因于 Cu/Bi 界面的逆 Rashba-Edelstein 效应。研究发现，自旋电流诱导的电荷电流方向随温度升高而改变。理论分析将这一行为与费米能级处表面态的复杂自旋结构和色散关系联系起来。对这一现象的理解为在二维系统中利用自旋轨道耦合产生、操控和探测自旋电流开辟了新的可能性。
引用
@article{arxiv.1409.8540,
title = {Origin of inverse Rashba-Edelstein effect at Cu/Bi interface using lateral spin valves},
author = {M. Isasa and M. C. Martínez-Velarte and E. Villamor and C. Magén and L. Morellón and J. M. De Teresa and M. R. Ibarra and G. Vignale and E. V. Chulkov and E. E. Krasovskii and L. E. Hueso and F. Casanova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.8540},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 4 figures for the main text + 6 pages, 6 figures for the supplementary information