巨逆 Rashba-Edelstein 效应：在单层 OsBi$_2$ 中的应用
材料科学
2021-10-04 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出，两组 Rashba 能带之间的杂化可导致一种非平庸拓扑，其中来自不同能带的两个费米圆具有同手性的面内螺旋自旋纹理，并拥有同方向的群速度。在弱自旋注入下，两个费米圆均对自旋—电荷转换给出正贡献，从而诱导出具有大转换效率的巨逆 Rashba-Edelstein 效应，这与传统的 Rashba-Edelstein 效应截然不同。更重要的是，通过第一性原理计算，我们预测单层 OsBi2 可能是实现巨逆 Rashba-Edelstein 效应的良好候选材料。我们的研究不仅展示了在自旋电子学中实现高效自旋—电荷转换的新机制，也提供了一种实现该效应的有前景的材料。
引用
@article{arxiv.2103.06456,
title = {Giant Inverse Rashba-Edelstein Effect: Application to Monolayer OsBi$_2$},
author = {Rui Song and Ning Hao and Ping Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.06456},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 4 figures